Výrobca Číslo produktu:
IPI126N10N3 G
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI126N10N3 G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventár:
12804715
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI126N10N3 G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
58A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.6mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 46µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2500 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
94W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI126N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
IPI126N10N3G
IPI126N10N3 G-DG
IFEINFIPI126N10N3 G
2156-IPI126N10N3 G-IT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP80P04P4L06AKSA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3
IRFZ44ESPBF
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
IRFR9024NTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK